RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
51
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link