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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
15.6
17.5
写入速度,GB/s
11.8
10.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2600
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CAS Latency (CL) *
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0 ns
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Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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