RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link