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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3909
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
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