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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
63
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
40
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2340
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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