RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Puntuación global
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
39
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.5
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2600
3367
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link