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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Note globale
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
39
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.5
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2600
3367
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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