RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
39
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
31
Velocità di lettura, GB/s
17.5
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2600
3367
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link