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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Super Talent F26UB16GH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Razones a tener en cuenta
Super Talent F26UB16GH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
63
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.7
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
1769
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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