RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3379
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link