RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
21.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
46
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
17
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3714
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link