RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
21.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
46
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
17
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3714
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link