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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
54
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
54
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2264
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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