RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
54
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
54
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2264
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link