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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
35
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
13.9
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3774
2336
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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