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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
87
En -248% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2870
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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