RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
87
Intorno -248% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
25
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2870
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link