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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
14.3
写入速度,GB/s
870.4
12.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2870
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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