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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3169
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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