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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
87
En -190% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
5300
En 4.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
23400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3428
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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