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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
17.2
写入速度,GB/s
870.4
15.1
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3428
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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