RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
87
En -190% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3100
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link