RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
87
Intorno -190% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
30
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3100
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link