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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
76
87
En -14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
76
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
1260
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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