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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
53
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3356
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
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