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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
53
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2349
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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