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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
10.8
写入速度,GB/s
1,590.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2349
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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