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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
10.8
写入速度,GB/s
1,590.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2349
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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