Comparación de la memoria RAM TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Puntuación global

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

53 72

En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 15.3

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.0 1,590.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 6400

En 3 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

522 1817

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns