RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
72
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
72
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
1817
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link