Porównanie pamięci RAM TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

53 72

Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

3 15.3

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

8.0 1,590.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 6400

Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

522 1817

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns