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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Compara
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2393
3298
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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