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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
3385
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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