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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
54
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
54
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
2226
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
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Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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