RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
10.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
2226
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link