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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
96
En -220% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
1847
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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