RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
96
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1847
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link