RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
96
En -256% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3531
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link