RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
96
Wokół strony -256% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3531
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link