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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
96
En -284% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2620
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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