RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Compara
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1381
3692
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link