RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1381
3692
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Porównanie pamięci RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link