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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Especificaciones
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2731
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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