RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2516
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link