RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Comparez
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Note globale
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Note globale
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
40
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1654
2565
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link