RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
94
Autour de -154% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
37
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3075
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link