RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
94
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
37
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3075
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link