RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
94
Autour de -176% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
34
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2780
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link