RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
94
Autour de -185% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
33
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2286
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link