RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
94
Около -185% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
33
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
9.6
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2286
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link