RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
3809
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link